낸드플래시메모리 [Nand Flash Memory]

낸드플래시메모리 [Nand Flash Memory] 용어설명   http://blog.naver.com/hanulbory/70014876168

 

자기디스크 대신 데이터를 저장하고 운반할 수 있는 플래시메모리로써 1987년 일본 도시바[東芝]에서 개발하였다. 값이 싸고 구조가 간단하면서도 많은 용량을 저장할 수 있다.

 

노어(Nor)플래시메모리와 함께 가장 많이 사용되는 비휘발성 메모리이다. 낸드는 Not AND, 노어는 Not OR의 줄임말이다. 일본 도시바가 1987년 처음으로 개발한 낸드플래시메모리는 자기식 저장장치들보다 내구성이 우수하고 대용량화가 가능하며 값이 싸다는 장점이 있다.

우리나라의 삼성전자와 도시바가 세계시장의 대부분을 차지하고 있다. 관련 업계에서는 휴대용 정보통신기기 사용이 늘면서 낸드플래시메모리 시장도 점점 커질 것으로 예상한다.

비트선과 접지선 사이에 셀(cell)이 병렬로 배치된 코드 저장형 노어플래시메모리와 달리 낸드플래시메모리는 셀이 직렬로 배치된 데이터 저장형 플래시메모리이다. 낸드플래시메모리는 노어플래시메모리에 비하여 대용량화가 쉽지만 속도는 느리다.

따라서 노어플래시메모리는 주로 핸드폰의 메모리로 사용되고 낸드플래시메모리는 MP3플레이어, 인터넷폰, 디지털카메라, 디지털캠코더, 휴대용저장장치 등 주로 휴대용 정보통신기기의 메모리로 사용된다.

2006년 1분기를 기준으로 삼성전자(주)가 세계 낸드플래시메모리 시장의 48.7%를 차지하였고 도시바가 24.6%로 2위, (주)하이닉스반도체가 14.8%로 3위였다. 그러나 낸드플래시메모리 시장이 점점 커지면서 다른 반도체 제조업체들의 관심이 확대되는 추세이다. 특히 노어플래시메모리 시장에서 1위를 지키고 있는 인텔을 비롯하여 AMD 등이 낸드플래시메모리 사업에 뛰어드는 등 경쟁이 치열해지고 있다.